• SS26LS-Serie Niedrigfrequenz Schottky-Diodenlegierung Silizium-Struktur für Ihre Anforderungen
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SS26LS-Serie Niedrigfrequenz Schottky-Diodenlegierung Silizium-Struktur für Ihre Anforderungen

SS26LS-Serie Niedrigfrequenz Schottky-Diodenlegierung Silizium-Struktur für Ihre Anforderungen

Produktdetails:

Herkunftsort: China
Zertifizierung: ISO9001:2015, ISO14001:2015, IATF16949

Zahlung und Versand AGB:

Min Bestellmenge: 3,000 Stück
Preis: negotiable
Lieferzeit: Spitzensaison: ein Monat außerhalb der Saison: innerhalb von 15 Werktagen
Zahlungsbedingungen: LC, T/T, PayPal
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 10000000000 Stück/Jahr
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Detailinformationen

Modell Nr.: SS26LS Struktur: mit einer Breite von mehr als 20 mm
Material: Silikon Transportpaket: BANDSPULE
Spezifikation: SMD Handelsmarke: JF
Ursprung: China HS-Code: 85411000
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 10000000000 Stück/Jahr

Produkt-Beschreibung

Beschreibung des Produkts

Niedrige Vorwärtsspannung SCHOTTKY BARRIER RECTIFER DIODES
Elektronische Komponente

Nummer des Teils: SS24LS THRU SS220LS

Hauptparameter:
 

TYPE VRRM Wenn IR ((25oC) VF HBM Tj Umriss
V Eine uA V KV oC
SS24LS 40 2 200 0.47 8 150 SMAF
SS26LS 60 2 150 0.52 8 150
SS210LS 100 2 50 0.65 8 150
SS215LS 150 2 20 0.82 8 150
SS220LS 200 2 20 0.82 8 150


Marke:JF

Verpackung:SMAF-Kunststoff
Hersteller:Jinan Jingheng Electronics Co., Ltd.

Eigenschaften:

· Metall-Silizium-Verbindung, Mehrheitsträgerleitung

· Schutzring zum Überspannungsschutz

· Niedriger Stromverlust, hohe Effizienz

· Hohe Überspannungskapazität, geringer Vorwärtsspannungsabfall
· Umriss der Oberflächenbefestigung

Anwendung: 
Verwendet in der Stromversorgung, Beleuchtung, Automobil, Haushaltsgeräte


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Unternehmensprofil

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