Schottky-Barriere-Rectifier Diode

• MUR30120PT 30A Superschnelle Gerüstdiode mit Hochleistungspaket TO-247AB/TO-3P Gehäuse
• MUR1560 Superschnelle Berichtigungsdiode mit TO-220AC Gehäuse 8.000kg Paket Bruttogewicht
• MUR1020/MUR1030/MUR1040/MUR1060 Superschneller Richter 200V-1000V Spannung bis 220AC Paket
• Silizium-MURS8120 Hyperschnelle Dioden-Soft Recovery für Hochfrequenzanwendungen

Schottky-Rektifizierungsdiode mit niedrigem Vf

• 60A Niedrigfrequenz Schottky Diode SR6045LD1/SR6060LD1/SR6080LD1/SR60100LD1 TO-263 Paket
• Paket Bruttogewicht 8.000kg SR30200LCT Niedrigfrequenzdiode Schottky mit ITO-220AB Paket
• SS54LC Schottky-Dioden mit niedrigem Frequenzfrequenzdruck mit SMC-Paket für eine verbesserte thermische Leistung
• Die Diode wird mit einem Schottky-Rektifikator mit niedrigem Frequenzfrequenzpegel ausgestattet.

Elektronik Mosfet

• 30V-Fast Switching-MOSFETs mit Silikon-N-Kanal-Funktion JHS3004 mit SOP-8-Paket für Industrieanlagen
• Schnellschalter 30V Dual-N-Channel-MOSFETs JHS3202 YJS3404A für Geschwindigkeit und keine Leuchtkraft
• N-Kanal 30V Schnellschalt-MOSFETs JHS3002 7A 20,00cm * 40,00cm * 15,00cm Paketgröße
• JHT3502 N-Kanal-Schnellschalt-MOSFET-Grench-Chip mit SOT-23-Paket für 30V VDS

Superschnelle Berichtigungsdiode

• Superschnelle Diode MUR3020CT/MUR3040CT/MUR3060CT für keine Leuchtkraft in TO-220AB-Verpackung
• MUR2020CT/MUR2030CT/MUR2040CT/MUR2060CT Siliziumdiode mit superschnellem Berichterstatter TO-220AB
• MURF2020CT/MURF2030CT/MURF2040CT/MURF2060CT Superschnelle Diode mit ebener Struktur
• Superschnelle Diode MURF1620CT/MURF1640CT/MURF1660CT/MURF1680CT/MURF16120CT Leuchtkraft keine

Brückengleichrichter

• Spannungsdiode für Siliziumbrückenrichtigung D3K310 3A/1000V für eine optimale Leistungsumwandlung
• D3K406/D3K408/D3K410 4A Strombrückenrichtigungsdiode mit Legierungssilikonstruktur
• 100-1000V Spannung D3K606 6A/600V Durch Lochbrücke-Rectifier Diode mit Leistung
• D3K608 BRIDGE RECTIFIER DIODE mit D3K Package 100-1000V 20,00cm * 40,00cm * 15,00cm

Photovoltaikdioden

• Hochleistungsdiode 30A/50V Schottky Barrier Rectifier Solar Bypass Diode für TO-263 Paket und PV Box
• Paket Bruttogewicht 8.000kg SB3045DY 30A/45V Solar-Bypass-Diode für PV-Schnittbox
• Silicon Photovoltaic Schottky Solar Bypass Diode SB2045DY für Photovoltaik-Boxen im TO-263-Rahmen

SIC Schottky-Dioden

• Hochleistungspaket SC3065PT 30A/650V Siliziumkarbid SIC Schottky Diode mit TO-247AB
• 650V-Siliziumkarbid-Schottky-Diode im TO-247AB-Paket für zuverlässige Stromversorgungen
• Hochleistungspaket SC40120PT 40A/1200V Siliziumkarbid SIC Schottky Diode mit TO-247AB
• SIC-Struktur SC30120PT 30A/1200V Schottky-Diode aus Siliziumkarbid im Paket TO-247AB

Hochleistungsmodul

• Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Leistungsfähigkeit der Fahrzeuge, die in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 167/2013 aufgeführt sind.

Schnelle Rückgewinnungsdiode

• RS2A RS2M Schnellwiederherstellungsdiode mit SMA-Paket Abmessungen 20,00cm * 40,00cm * 15,00cm
• Raumersparende Lösungen RS1AS RS1DS RS1MS SMAF-Paket Silizium-Schnellwiederherstellungsdiode
• RS1M RS1D Schnellwiederherstellungsrichter Diode in SMA-Paket für optimales Siliziummaterial
• 8.000kg AXIAL DIODE FR101 FR107 DO-41 Paket Schnellwiederherstellungsdiode Bruttogewicht 8.000kg

Diode mit hohem Wirkungsgrad

• US2J Glasdiode mit passivisierter Knotenstelle für kompakte Konstruktion
• Her201G/HER205G/HER206G/HER207G/HER208G 2AMPS-Rektifizierungsdiode mit Legierungsstruktur
• HER151/HER155/HER156/HER157/HER158 Diode 8.000 kg Verpackung Bruttogewicht ohne Licht
• HER207 2A Stromgerichtediode mit DO-15-Verpackung für Hochtemperaturanwendungen

Vorübergehende Spannungs-Unterdrücker

• JF JH 1.5KE6.8CA-1.5KE440CA Serie 1500W TVS Diode DO-201AD Paket 0,002 kg Bruttogewicht
• 1.5KE6.8A 1.5KE440A TVS Diodenreihe mit Leistung von 1500 Watt und DO-201AD Paket
• SMAJ5.0A THRU SMAJ440A 400W TVS-Diode mit SMA-Paket zur Übergangsspannungskontrolle
• SMBJ5.0A THRU SMBJ440A 600W Serie Silizium-TVS-Diode mit SMB-Paket JF JH Logo

Elektronische Transistoren

• Silizium-MMBT2907A 300mW PNP-Transistoren aus Kunststoff mit SOT-23-Packungsgröße
• NO LIGHT Oberflächenaufbau NPN Kunststofftransistoren MMBT2222A 300mW SOT-23 Gehäuse
• Silikon-SS8550 PNP-Transistoren aus Kunststoff-Kapseln mit SOT-23-Linien für kein Licht
• JF JH SS8050 NPN Silizium-Epitaxial-Glanztransistor für Hochtemperaturumgebungen